UTT75N08 Todos los transistores

 

UTT75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTT75N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 212 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-252 TO-220F1
 

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UTT75N08 Datasheet (PDF)

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UTT75N08

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N08 Preliminary Power MOSFET 75A, 80V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC UTT75N08 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with 1perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low TO-220F1gate charge. The UTC UTT75N08 is suitable for D

 8.1. Size:164K  utc
 utt75n75.pdf pdf_icon

UTT75N08

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N75 Preliminary Power MOSFET 80A, 75V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT75N75 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics including 1fast switching speed and low thermal resistance. It is usually used TO-220in the telecom and computer applications. FEATURES * RDS(O

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History: UTT150N06 | DH8004B | MTB09P04DJ3 | DH4N150B | MTB25C04Q8 | DH50N15 | 2N70

 

 
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