UTT75N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UTT75N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 212 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-252 TO-220F1
Аналог (замена) для UTT75N08
UTT75N08 Datasheet (PDF)
utt75n08.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N08 Preliminary Power MOSFET 75A, 80V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC UTT75N08 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with 1perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low TO-220F1gate charge. The UTC UTT75N08 is suitable for D
utt75n75.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N75 Preliminary Power MOSFET 80A, 75V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT75N75 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics including 1fast switching speed and low thermal resistance. It is usually used TO-220in the telecom and computer applications. FEATURES * RDS(O
Другие MOSFET... UTT25N08 , UTT30N08 , UTT30N10 , UTT36N10 , UTT50N06 , UTT60N06 , UTT60N10 , UTT6N10 , 4435 , UTT75N75 , UTT80N06 , UTT80N08 , UTT80N75 , UDN302 , UT2301 , UT2301Z , UT2305 .
History: IRFSL7540PBF | UT2301 | UT2305
History: IRFSL7540PBF | UT2301 | UT2305



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763