UTT75N75 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTT75N75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-220

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UTT75N75 datasheet

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UTT75N75

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N75 Preliminary Power MOSFET 80A, 75V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT75N75 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics including 1 fast switching speed and low thermal resistance. It is usually used TO-220 in the telecom and computer applications. FEATURES * RDS(O

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UTT75N75

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N08 Preliminary Power MOSFET 75A, 80V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 1 TO-220 DESCRIPTION The UTC UTT75N08 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with 1 perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low TO-220F1 gate charge. The UTC UTT75N08 is suitable for D

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