UTT75N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT75N75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT75N75

UTT75N75 Datasheet (PDF)

..1. Size:164K utc
utt75n75.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N75 Preliminary Power MOSFET 80A, 75V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT75N75 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics including 1fast switching speed and low thermal resistance. It is usually used TO-220in the telecom and computer applications. FEATURES * RDS(O

8.1. Size:156K utc
utt75n08.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N08 Preliminary Power MOSFET 75A, 80V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC UTT75N08 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with 1perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low TO-220F1gate charge. The UTC UTT75N08 is suitable for D

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Liste

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