UTT75N75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTT75N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UTT75N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT75N75 даташит

 ..1. Size:164K  utc
 utt75n75.pdf pdf_icon

UTT75N75

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N75 Preliminary Power MOSFET 80A, 75V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT75N75 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics including 1 fast switching speed and low thermal resistance. It is usually used TO-220 in the telecom and computer applications. FEATURES * RDS(O

 8.1. Size:156K  utc
 utt75n08.pdf pdf_icon

UTT75N75

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N08 Preliminary Power MOSFET 75A, 80V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 1 TO-220 DESCRIPTION The UTC UTT75N08 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with 1 perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low TO-220F1 gate charge. The UTC UTT75N08 is suitable for D

Другие IGBT... UTT30N08, UTT30N10, UTT36N10, UTT50N06, UTT60N06, UTT60N10, UTT6N10, UTT75N08, 4435, UTT80N06, UTT80N08, UTT80N75, UDN302, UT2301, UT2301Z, UT2305, UT2305A