Справочник MOSFET. UTT75N75

 

UTT75N75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTT75N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для UTT75N75

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT75N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  utc
 utt75n75.pdf pdf_icon

UTT75N75

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N75 Preliminary Power MOSFET 80A, 75V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT75N75 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics including 1fast switching speed and low thermal resistance. It is usually used TO-220in the telecom and computer applications. FEATURES * RDS(O

 8.1. Size:156K  utc
 utt75n08.pdf pdf_icon

UTT75N75

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT75N08 Preliminary Power MOSFET 75A, 80V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC UTT75N08 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with 1perfect RDS(ON), high switching speed, high current capacity and low TO-220F1gate charge. The UTC UTT75N08 is suitable for D

Другие MOSFET... UTT30N08 , UTT30N10 , UTT36N10 , UTT50N06 , UTT60N06 , UTT60N10 , UTT6N10 , UTT75N08 , 2SK3568 , UTT80N06 , UTT80N08 , UTT80N75 , UDN302 , UT2301 , UT2301Z , UT2305 , UT2305A .

History: IXFN26N100P | WPM2026 | HSBA6074 | AOD4102 | HSBA3014 | AS4375 | CHM7101JGP

 

 
Back to Top

 


 
.