UDN302 Todos los transistores

 

UDN302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UDN302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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UDN302 Datasheet (PDF)

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UDN302

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UDN302 Power MOSFET P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET DESCRIPTION The UDN302 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5V * RDS(ON)=80m @ VGS=-2.

Otros transistores... UTT60N06 , UTT60N10 , UTT6N10 , UTT75N08 , UTT75N75 , UTT80N06 , UTT80N08 , UTT80N75 , TK10A60D , UT2301 , UT2301Z , UT2305 , UT2305A , UT2311 , UT2321 , UT2327 , UT3419 .

History: 2SK3402-ZK | APT94N65B2C3G | DMN4034SSS | GSM7002T | CEM6608 | DMG10N60SCT | 19N20

 

 
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