UDN302 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UDN302

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de UDN302 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UDN302 datasheet

 ..1. Size:201K  utc
 udn302.pdf pdf_icon

UDN302

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UDN302 Power MOSFET P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET DESCRIPTION The UDN302 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5V * RDS(ON)=80m @ VGS=-2.

Otros transistores... UTT60N06, UTT60N10, UTT6N10, UTT75N08, UTT75N75, UTT80N06, UTT80N08, UTT80N75, 13N50, UT2301, UT2301Z, UT2305, UT2305A, UT2311, UT2321, UT2327, UT3419