Справочник MOSFET. UDN302

 

UDN302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UDN302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для UDN302

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UDN302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  utc
 udn302.pdf pdf_icon

UDN302

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UDN302 Power MOSFET P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET DESCRIPTION The UDN302 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5V * RDS(ON)=80m @ VGS=-2.

Другие MOSFET... UTT60N06 , UTT60N10 , UTT6N10 , UTT75N08 , UTT75N75 , UTT80N06 , UTT80N08 , UTT80N75 , TK10A60D , UT2301 , UT2301Z , UT2305 , UT2305A , UT2311 , UT2321 , UT2327 , UT3419 .

History: FQPF5N60 | BSS340NW | 2SK1377 | AP10TN004CMT | UT3N10G-AB3-R | UT2302 | INK0002AC1

 

 
Back to Top

 


 
.