UDN302. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UDN302

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для UDN302

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UDN302 даташит

 ..1. Size:201K  utc
 udn302.pdf pdf_icon

UDN302

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UDN302 Power MOSFET P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET DESCRIPTION The UDN302 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5V * RDS(ON)=80m @ VGS=-2.

Другие IGBT... UTT60N06, UTT60N10, UTT6N10, UTT75N08, UTT75N75, UTT80N06, UTT80N08, UTT80N75, 13N50, UT2301, UT2301Z, UT2305, UT2305A, UT2311, UT2321, UT2327, UT3419