UT6302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT6302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23 SOT-23-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT6302

UT6302 Datasheet (PDF)

..1. Size:233K utc
ut6302.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6302 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET DESCRIPTION The UTC UT6302 is a power MOSFET offering the customersefficient and reliable performance. The UTC UT6302 is ideal for thin application environments, such as portable electronics and PCMCIA cards. FEATURES * Extremely-Low On-Resistance * Fast Switching Speed SYMBOL Drain (

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Liste

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