Справочник MOSFET. UT6302

 

UT6302 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT6302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23 SOT-23-3

 Аналог (замена) для UT6302

 

 

UT6302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  utc
 ut6302.pdf

UT6302 UT6302

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6302 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET DESCRIPTION The UTC UT6302 is a power MOSFET offering the customersefficient and reliable performance. The UTC UT6302 is ideal for thin application environments, such as portable electronics and PCMCIA cards. FEATURES * Extremely-Low On-Resistance * Fast Switching Speed SYMBOL Drain (

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top