UP9T15G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UP9T15G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de UP9T15G MOSFET
UP9T15G Datasheet (PDF)
up9t15g.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9T15G Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UP9T15G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=20V * ID=12 .5A (VGS=4.5V) * RDS(ON)
Otros transistores... UT2327 , UT3419 , UT6302 , 90N02 , UK3018 , UK3019 , UK3919 , UML2502 , 18N50 , UT2302 , UT2304 , UT2306 , UT2308 , UT2312 , UT2316 , UT3055 , UT3400 .
History: NDT90N04 | IRFP453 | SES759 | NVBLS0D7N06C | RSS100N03TB | SSM6P28TU | AG7N60S
History: NDT90N04 | IRFP453 | SES759 | NVBLS0D7N06C | RSS100N03TB | SSM6P28TU | AG7N60S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364