UP9T15G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UP9T15G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UP9T15G

UP9T15G Datasheet (PDF)

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up9t15g.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9T15G Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UP9T15G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=20V * ID=12 .5A (VGS=4.5V) * RDS(ON)

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Liste

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