UP9T15G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UP9T15G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UP9T15G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UP9T15G даташит

 ..1. Size:311K  utc
 up9t15g.pdf pdf_icon

UP9T15G

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9T15G Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UP9T15G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=20V * ID=12 .5A (VGS=4.5V) * RDS(ON)

Другие IGBT... UT2327, UT3419, UT6302, 90N02, UK3018, UK3019, UK3919, UML2502, BS170, UT2302, UT2304, UT2306, UT2308, UT2312, UT2316, UT3055, UT3400