FRS9130H Todos los transistores

 

FRS9130H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRS9130H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.565 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
 

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FRS9130H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:55K  intersil
 frs9130.pdf pdf_icon

FRS9130H

FRS9130D, FRS9130R,FRS9130H6A, -100V, 0.565 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.565TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

 9.1. Size:54K  intersil
 frs9140.pdf pdf_icon

FRS9130H

FRS9140D, FRS9140R,FRS9140H11A, -100V, 0.315 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.315TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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History: FRS234R

 

 
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