FRS9130H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRS9130H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 176 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.565 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FRS9130H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS9130H даташит

 7.1. Size:55K  intersil
 frs9130.pdf pdf_icon

FRS9130H

FRS9130D, FRS9130R, FRS9130H 6A, -100V, 0.565 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.565 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

 9.1. Size:54K  intersil
 frs9140.pdf pdf_icon

FRS9130H

FRS9140D, FRS9140R, FRS9140H 11A, -100V, 0.315 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.315 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие IGBT... FRS244R, FRS430D, FRS430H, FRS430R, FRS440D, FRS440H, FRS440R, FRS9130D, AO3407, FRS9130R, FRS9140D, FRS9140H, FRS9140R, FRS9230D, FRS9230H, FRS9230R, FRS9240D