UTD351 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTD351
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de UTD351 MOSFET
UTD351 Datasheet (PDF)
utd351.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And its produced using UTCs Trench process. SYMBOL 3.Drain2.Gate*Pb-free plating product number: UTD351L1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment
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History: IRFU7440 | AOTF080A60L | 10N65KG-TN3-R | STB20NM50FDT4 | 6HP04MH | FDB86363F085 | IRFP9141
History: IRFU7440 | AOTF080A60L | 10N65KG-TN3-R | STB20NM50FDT4 | 6HP04MH | FDB86363F085 | IRFP9141
Liste
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