UTD351 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTD351
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTD351

UTD351 Datasheet (PDF)

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utd351.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And its produced using UTCs Trench process. SYMBOL 3.Drain2.Gate*Pb-free plating product number: UTD351L1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment

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