UTD351 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTD351

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de UTD351 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UTD351 datasheet

 ..1. Size:214K  utc
 utd351.pdf pdf_icon

UTD351

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And it s produced using UTC s Trench process. SYMBOL 3.Drain 2.Gate *Pb-free plating product number UTD351L 1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment

Otros transistores... UT3N01Z, UT4414, UT45N03, UT4800, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, STP65NF06, UTD410, UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003