Справочник MOSFET. UTD351

 

UTD351 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTD351
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для UTD351

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  utc
 utd351.pdf pdf_icon

UTD351

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And its produced using UTCs Trench process. SYMBOL 3.Drain2.Gate*Pb-free plating product number: UTD351L1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment

Другие MOSFET... UT3N01Z , UT4414 , UT45N03 , UT4800 , UT50N03 , UT6402 , UT75N02 , UT8205A , IRFZ48N , UTD410 , UTD452 , UTM2054 , UTM2513 , UTN3055 , UTP45N02 , UTT200N02 , UP2003 .

History: NDB708AE | TPCA8A09-H | AFN4214 | TF68N80 | DMG3413L | IPB083N10N3G | STL9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.