Справочник MOSFET. UTD351

 

UTD351 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTD351
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  utc
utd351.pdfpdf_icon

UTD351

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And its produced using UTCs Trench process. SYMBOL 3.Drain2.Gate*Pb-free plating product number: UTD351L1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HUF76013D3S | CED25N15L | SWP078R08E8T | UT9435HG-S08-R | HUF76445S3ST

 

 
Back to Top

 


 
.