Справочник MOSFET. UTD351

 

UTD351 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UTD351
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для UTD351

 

 

UTD351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  utc
 utd351.pdf

UTD351 UTD351

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And its produced using UTCs Trench process. SYMBOL 3.Drain2.Gate*Pb-free plating product number: UTD351L1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top