UTD351. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTD351

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для UTD351

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD351 даташит

 ..1. Size:214K  utc
 utd351.pdf pdf_icon

UTD351

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD351 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION As N-Channel Logic Level MOSFET, UTD351 has been optimized for battery power management applications. And it s produced using UTC s Trench process. SYMBOL 3.Drain 2.Gate *Pb-free plating product number UTD351L 1.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment

Другие IGBT... UT3N01Z, UT4414, UT45N03, UT4800, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, STP65NF06, UTD410, UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003