UTD410 Todos los transistores

 

UTD410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTD410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223 TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

UTD410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  utc
 utd410.pdf pdf_icon

UTD410

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD410 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 1 DESCRIPTION SOT-223The UTD410 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. This UTD410 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES 1* VDS=30V, ID=8A TO-252* RDS(ON) =48m @VGS =10V SYMBOL ORDERING INFORMATI

 9.1. Size:209K  utc
 utd413.pdf pdf_icon

UTD410

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD413 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD413 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using UTCs advanced trench technology. The UTD413 is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance of the TO-252 package. Standard Product UTD413 is Pb-free. FEATURES * RD

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCE65TF099F | P06P03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.