Справочник MOSFET. UTD410

 

UTD410 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UTD410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.72 nC
   Время нарастания (tr): 3.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 57 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223 TO-252

 Аналог (замена) для UTD410

 

 

UTD410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  utc
 utd410.pdf

UTD410 UTD410

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD410 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 1 DESCRIPTION SOT-223The UTD410 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. This UTD410 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES 1* VDS=30V, ID=8A TO-252* RDS(ON) =48m @VGS =10V SYMBOL ORDERING INFORMATI

 9.1. Size:209K  utc
 utd413.pdf

UTD410 UTD410

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD413 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD413 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using UTCs advanced trench technology. The UTD413 is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance of the TO-252 package. Standard Product UTD413 is Pb-free. FEATURES * RD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top