UTD410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTD410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT-223 TO-252

Аналог (замена) для UTD410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD410 даташит

 ..1. Size:258K  utc
 utd410.pdf pdf_icon

UTD410

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD410 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 1 DESCRIPTION SOT-223 The UTD410 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. This UTD410 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES 1 * VDS=30V, ID=8A TO-252 * RDS(ON) =48m @VGS =10V SYMBOL ORDERING INFORMATI

 9.1. Size:209K  utc
 utd413.pdf pdf_icon

UTD410

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD413 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD413 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using UTC s advanced trench technology. The UTD413 is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance of the TO-252 package. Standard Product UTD413 is Pb-free. FEATURES * RD

Другие IGBT... UT4414, UT45N03, UT4800, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, IRF1405, UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003, UT2309