UTD452 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTD452
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTD452

UTD452 Datasheet (PDF)

..1. Size:216K utc
utd452.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD452 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD452 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

9.1. Size:161K utc
utd454.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD454 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTD454 is an N-channel enhancement MOSFETproviding perfect RDS(ON) and low gate charge with UTC advanced technology. The UTC UTD454 is intended for being used in PWM, load switching and general purpose applications. FEATURES * RDS(ON)

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Liste

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