UTD452 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UTD452
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-251 TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UTD452 Datasheet (PDF)
utd452.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD452 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD452 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
utd454.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD454 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTD454 is an N-channel enhancement MOSFETproviding perfect RDS(ON) and low gate charge with UTC advanced technology. The UTC UTD454 is intended for being used in PWM, load switching and general purpose applications. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: UTC50N06L
History: UTC50N06L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a