UTD452. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTD452

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UTD452

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD452 даташит

 ..1. Size:216K  utc
 utd452.pdf pdf_icon

UTD452

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD452 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD452 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:161K  utc
 utd454.pdf pdf_icon

UTD452

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD454 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTD454 is an N-channel enhancement MOSFET providing perfect RDS(ON) and low gate charge with UTC advanced technology. The UTC UTD454 is intended for being used in PWM, load switching and general purpose applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UT45N03, UT4800, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410, 7N60, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003, UT2309, UT30P03