UTD452 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UTD452
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.5 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 315 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-251 TO-252
UTD452 Datasheet (PDF)
utd452.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD452 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD452 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
utd454.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD454 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTD454 is an N-channel enhancement MOSFETproviding perfect RDS(ON) and low gate charge with UTC advanced technology. The UTC UTD454 is intended for being used in PWM, load switching and general purpose applications. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
