UTM2513 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTM2513

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

 Búsqueda de reemplazo de UTM2513 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UTM2513 datasheet

 ..1. Size:207K  utc
 utm2513.pdf pdf_icon

UTM2513

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2513 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 10.5m (typ.) @VGS = 10 V * RDS(ON) = 16m (typ.) @VGS = 4.5 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain Lead-free UTM2513L Halogen-free UTM2513G 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION

Otros transistores... UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054, IRFZ46N, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003, UT2309, UT30P03, UT3310, UT3401