UTM2513. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTM2513

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UTM2513

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM2513 даташит

 ..1. Size:207K  utc
 utm2513.pdf pdf_icon

UTM2513

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2513 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 10.5m (typ.) @VGS = 10 V * RDS(ON) = 16m (typ.) @VGS = 4.5 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain Lead-free UTM2513L Halogen-free UTM2513G 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION

Другие IGBT... UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410, UTD452, UTM2054, IRFZ46N, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003, UT2309, UT30P03, UT3310, UT3401