UT30P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT30P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT30P03

UT30P03 Datasheet (PDF)

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ut30p03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P03 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

8.1. Size:126K utc
ut30p04.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P04 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT30P04 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness with UTCs advanced technology. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed

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