UT30P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT30P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UT30P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT30P03 даташит

 ..1. Size:159K  utc
 ut30p03.pdf pdf_icon

UT30P03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P03 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

 8.1. Size:126K  utc
 ut30p04.pdf pdf_icon

UT30P03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30P04 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT30P04 is a P-channel enhancement mode Power MOSFET, providing customers fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness with UTC s advanced technology. FEATURES * Low on-Resistance * Fast Switching Speed

Другие IGBT... UTD452, UTM2054, UTM2513, UTN3055, UTP45N02, UTT200N02, UP2003, UT2309, K2611, UT3310, UT3401, UT3401Z, UT3403, UT3409, UT3443, UT3P01Z, UT4411