UT3P01Z Todos los transistores

 

UT3P01Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT3P01Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323 SOT-523 SOT-23-3
 

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UT3P01Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  utc
 ut3p01z.pdf pdf_icon

UT3P01Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P01Z Power MOSFET P CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. FEATURES * RDS(ON) = 8 @VGS = -4 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC )

 9.1. Size:157K  utc
 ut3p06.pdf pdf_icon

UT3P01Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P06 Power MOSFET 3A, 60V (D-S) P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3P06 is a P-channel enhancement power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. This UTC UT3P06 can be operated with -4.5V low gate voltage. FEATURES * RDS(ON)=0.19 @ VGS=-10V, RDS(ON)=0.265

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History: ZXMN6A11ZTA-P | SVG104R2NT | 2SK3325-ZJ | IXFQ12N80P | AM2301P | UT7401 | STP21NM60N

 

 
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