UT3P01Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT3P01Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.4 V
Carga de la puerta (Qg): 1.43 nC
Tiempo de subida (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323 SOT-523 SOT-23-3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT3P01Z
UT3P01Z Datasheet (PDF)
ut3p01z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P01Z Power MOSFET P CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. FEATURES * RDS(ON) = 8 @VGS = -4 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC )
ut3p06.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P06 Power MOSFET 3A, 60V (D-S) P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3P06 is a P-channel enhancement power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. This UTC UT3P06 can be operated with -4.5V low gate voltage. FEATURES * RDS(ON)=0.19 @ VGS=-10V, RDS(ON)=0.265
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