Справочник MOSFET. UT3P01Z

 

UT3P01Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT3P01Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.43 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 5.7 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323 SOT-523 SOT-23-3

 Аналог (замена) для UT3P01Z

 

 

UT3P01Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  utc
ut3p01z.pdf

UT3P01Z UT3P01Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P01Z Power MOSFET P CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. FEATURES * RDS(ON) = 8 @VGS = -4 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC )

 9.1. Size:157K  utc
ut3p06.pdf

UT3P01Z UT3P01Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P06 Power MOSFET 3A, 60V (D-S) P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3P06 is a P-channel enhancement power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. This UTC UT3P06 can be operated with -4.5V low gate voltage. FEATURES * RDS(ON)=0.19 @ VGS=-10V, RDS(ON)=0.265

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top