UT3P01Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT3P01Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT-323 SOT-523 SOT-23-3

Аналог (замена) для UT3P01Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT3P01Z даташит

 ..1. Size:167K  utc
 ut3p01z.pdf pdf_icon

UT3P01Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P01Z Power MOSFET P CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. FEATURES * RDS(ON) = 8 @VGS = -4 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC )

 9.1. Size:157K  utc
 ut3p06.pdf pdf_icon

UT3P01Z

Другие IGBT... UT2309, UT30P03, UT3310, UT3401, UT3401Z, UT3403, UT3409, UT3443, IRFP064N, UT4411, UT4413, UT4435, UT6401, UT70P03, UT7401, UT9435, UT9435H