UT6401 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT6401

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOT-26 SOT-23

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UT6401 datasheet

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UT6401

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UT6401

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6402 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 3 1 DESCRIPTION 2 SOT-23 The UT6402 is N-Channel enhancement mode Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4 speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5 capabilities, operation with low gate voltages. 6 This device is suitable for use as a load swit

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