UT6401 Todos los transistores

 

UT6401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT6401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26 SOT-23
 

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UT6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  utc
 ut6401.pdf pdf_icon

UT6401

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6401 Power MOSFET 5A, 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 31 DESCRIPTION 2SOT-23The UTC UT6401 is P-channel enhancement mode Power (SC-59)MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5capabilities, operation with low gate charge. 6This device is suitable for u

 9.1. Size:230K  utc
 ut6402.pdf pdf_icon

UT6401

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6402 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 31 DESCRIPTION 2SOT-23The UT6402 is N-Channel enhancement mode Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5capabilities, operation with low gate voltages. 6This device is suitable for use as a load swit

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History: RCJ510N25 | BUK6C2R1-55C | TPC8063-H

 

 
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