UT6401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT6401
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26 SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT6401
UT6401 Datasheet (PDF)
ut6401.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6401 Power MOSFET 5A, 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 31 DESCRIPTION 2SOT-23The UTC UT6401 is P-channel enhancement mode Power (SC-59)MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5capabilities, operation with low gate charge. 6This device is suitable for u
ut6402.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6402 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 31 DESCRIPTION 2SOT-23The UT6402 is N-Channel enhancement mode Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5capabilities, operation with low gate voltages. 6This device is suitable for use as a load swit
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918