UT6401. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: UT6401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Аналог (замена) для UT6401
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
UT6401 даташит
ut6401.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6401 Power MOSFET 5A, 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 3 1 DESCRIPTION 2 SOT-23 The UTC UT6401 is P-channel enhancement mode Power (SC-59) MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4 speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5 capabilities, operation with low gate charge. 6 This device is suitable for u
ut6402.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6402 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 3 1 DESCRIPTION 2 SOT-23 The UT6402 is N-Channel enhancement mode Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching 4 speed, low on-resistance, excellent thermal and electrical 5 capabilities, operation with low gate voltages. 6 This device is suitable for use as a load swit
Другие IGBT... UT3401Z, UT3403, UT3409, UT3443, UT3P01Z, UT4411, UT4413, UT4435, IRF3205, UT70P03, UT7401, UT9435, UT9435H, UT9435HZ, UTC654, UTD405, UTR4502
History: UT4435
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a


