UTT4407 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTT4407

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 503 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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UTT4407 datasheet

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UTT4407

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4407 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4407 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4407 is universally applied in PWM or use

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UTT4407

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4425 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4425 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 25V gate rating. The UTC UTT4425 is ESD protected and it is univer

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