UTT4407 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UTT4407
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37.2 nC
Время нарастания (tr): 8.2 ns
Выходная емкость (Cd): 503 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
UTT4407 Datasheet (PDF)
utt4407.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4407 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4407 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal lowgate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4407 is universally applied in PWM or use
utt4425.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4425 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4425 is a P-channel enhancement mode powerMOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 25V gate rating. The UTC UTT4425 is ESD protected and it is univer
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
