UT3P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT3P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SOT-26 SOT-23

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UT3P06 datasheet

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UT3P06

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UT3P06

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P01Z Power MOSFET P CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. FEATURES * RDS(ON) = 8 @VGS = -4 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC )

Otros transistores... UTT100P03, UTT36P03, UTT4407, UTT4425, UTT4815, UTT60P03, BSS84Z, UT30P04, IRF3710, UT5504, UT9564, UTD413, UTT15P06, UTT18P06, UTT20P04, UTT25P06, UTT30P04