UT3P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT3P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: SOT-26 SOT-23

Аналог (замена) для UT3P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT3P06 даташит

 ..1. Size:157K  utc
 ut3p06.pdf pdf_icon

UT3P06

 9.1. Size:167K  utc
 ut3p01z.pdf pdf_icon

UT3P06

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3P01Z Power MOSFET P CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT3P01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operated with low gate voltages. This device can be applied to general-purpose switching devices applications. FEATURES * RDS(ON) = 8 @VGS = -4 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 1.43 nC )

Другие IGBT... UTT100P03, UTT36P03, UTT4407, UTT4425, UTT4815, UTT60P03, BSS84Z, UT30P04, IRF3710, UT5504, UT9564, UTD413, UTT15P06, UTT18P06, UTT20P04, UTT25P06, UTT30P04