UD4809 Todos los transistores

 

UD4809 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UD4809
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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UD4809 Datasheet (PDF)

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UD4809

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UD4809 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION This UD4809 N-Channel MOSFET is produced using UTCadvanced process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate charge for superior switching performance especially. The UD4809 is well suited for where low in-line power loss is needed in a ve

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History: MDV1595SURH | VBA3695 | AM2373P

 

 
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