UD4809 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UD4809
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: TO-252
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UD4809 datasheet
ud4809.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UD4809 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION This UD4809 N-Channel MOSFET is produced using UTC advanced process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate charge for superior switching performance especially. The UD4809 is well suited for where low in-line power loss is needed in a ve
Otros transistores... UTT20P04, UTT25P06, UTT30P04, UTT30P06, UTT40P04, UTT50P04, UTT50P06, UTT65P04, 2N7002, UF1404, UK1398, UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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