UD4809 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UD4809
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для UD4809
UD4809 Datasheet (PDF)
ud4809.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UD4809 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION This UD4809 N-Channel MOSFET is produced using UTCadvanced process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate charge for superior switching performance especially. The UD4809 is well suited for where low in-line power loss is needed in a ve
Другие MOSFET... UTT20P04 , UTT25P06 , UTT30P04 , UTT30P06 , UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , 2N7002 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 .
History: NCE0240F | FQB6N90TMAM002 | BL5N135-K
History: NCE0240F | FQB6N90TMAM002 | BL5N135-K
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166


