UD4809 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UD4809
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для UD4809
UD4809 Datasheet (PDF)
ud4809.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UD4809 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION This UD4809 N-Channel MOSFET is produced using UTCadvanced process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate charge for superior switching performance especially. The UD4809 is well suited for where low in-line power loss is needed in a ve
Другие MOSFET... UTT20P04 , UTT25P06 , UTT30P04 , UTT30P06 , UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , K3569 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 .
History: GC11N65F | TP9435PR | IRHMK57160 | SI4410DYPBF | CM1N60C | SSG4502C | CJAC20N10
History: GC11N65F | TP9435PR | IRHMK57160 | SI4410DYPBF | CM1N60C | SSG4502C | CJAC20N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166