UD4809. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: UD4809
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для UD4809
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
UD4809 даташит
ud4809.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UD4809 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION This UD4809 N-Channel MOSFET is produced using UTC advanced process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate charge for superior switching performance especially. The UD4809 is well suited for where low in-line power loss is needed in a ve
Другие IGBT... UTT20P04, UTT25P06, UTT30P04, UTT30P06, UTT40P04, UTT50P04, UTT50P06, UTT65P04, 2N7002, UF1404, UK1398, UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03
History: APT50M50PVR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166

