UMBF170 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMBF170
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-3
Búsqueda de reemplazo de UMBF170 MOSFET
UMBF170 Datasheet (PDF)
umbf170.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UMBF170 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UMBF170 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
Otros transistores... UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , AO3400 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 .
History: BRCS080C04SC | AP83T03GJ | IRFI740B | M4N65TF | AP9974GJ | NP32N055ILE | HM13P10K
History: BRCS080C04SC | AP83T03GJ | IRFI740B | M4N65TF | AP9974GJ | NP32N055ILE | HM13P10K



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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