UMBF170 Todos los transistores

 

UMBF170 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMBF170
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-3
 

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UMBF170 datasheet

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UMBF170

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UMBF170 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UMBF170 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , AO3401 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 .

History: AGM025N10C | KI5903DC | KF5N53D | STD10PF06 | RCJ080N25 | MMP60R750PTH | BUZ91A

 

 
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