Справочник MOSFET. UMBF170

 

UMBF170 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UMBF170
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3
 

 Аналог (замена) для UMBF170

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UMBF170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  utc
 umbf170.pdf pdf_icon

UMBF170

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UMBF170 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UMBF170 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , AO3400 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 .

History: UF2N30 | NCEP30T17GU | AONH36334

 

 
Back to Top

 


 
.