UMBF170. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMBF170

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3

Аналог (замена) для UMBF170

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UMBF170 даташит

 ..1. Size:205K  utc
 umbf170.pdf pdf_icon

UMBF170

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UMBF170 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UMBF170 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UTT40P04, UTT50P04, UTT50P06, UTT65P04, UD4809, UF1404, UK1398, UM6K31N, AO3401, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, UT150N04