UT110N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT110N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT110N03

UT110N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:143K utc
ut110n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT110N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT110N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=26V * ID=110A * RDS(ON) =4.8m@VGS=10 V * RDS(ON) =7.

9.1. Size:41K st
but110.pdf

BUT100HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORn HIGH EFFICIENCY SWITCHINGn VERY LOW SATURATION VOLTAGEn RECTANGULAR SAFE OPERATION AREAn WIDE ACCIDENTAL OVERLOAD AREADESCRIPTIONSuitable for motor drivers, SMPS converters,uninterruptable power supply operating low1voltage supply.2TO-3INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCEV Collec

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: