UT110N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT110N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT110N03
Principales características: UT110N03
ut110n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT110N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT110N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=26V * ID=110A * RDS(ON) =4.8m @VGS=10 V * RDS(ON) =7.
but110.pdf
BUT100 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR n HIGH EFFICIENCY SWITCHING n VERY LOW SATURATION VOLTAGE n RECTANGULAR SAFE OPERATION AREA n WIDE ACCIDENTAL OVERLOAD AREA DESCRIPTION Suitable for motor drivers, SMPS converters, uninterruptable power supply operating low 1 voltage supply. 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCEV Collec
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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