UT110N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT110N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UT110N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT110N03 даташит

 ..1. Size:143K  utc
 ut110n03.pdf pdf_icon

UT110N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT110N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT110N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=26V * ID=110A * RDS(ON) =4.8m @VGS=10 V * RDS(ON) =7.

 9.1. Size:41K  st
 but110.pdf pdf_icon

UT110N03

BUT100 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR n HIGH EFFICIENCY SWITCHING n VERY LOW SATURATION VOLTAGE n RECTANGULAR SAFE OPERATION AREA n WIDE ACCIDENTAL OVERLOAD AREA DESCRIPTION Suitable for motor drivers, SMPS converters, uninterruptable power supply operating low 1 voltage supply. 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCEV Collec

Другие IGBT... UF1404, UK1398, UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, SKD502T, UT120N03, UT136N03, UT150N04, UT20N03, UT3006, UT3009, UT30N03, UT3458