UT110N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UT110N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для UT110N03
UT110N03 Datasheet (PDF)
ut110n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT110N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT110N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=26V * ID=110A * RDS(ON) =4.8m@VGS=10 V * RDS(ON) =7.
but110.pdf

BUT100HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORn HIGH EFFICIENCY SWITCHINGn VERY LOW SATURATION VOLTAGEn RECTANGULAR SAFE OPERATION AREAn WIDE ACCIDENTAL OVERLOAD AREADESCRIPTIONSuitable for motor drivers, SMPS converters,uninterruptable power supply operating low1voltage supply.2TO-3INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCEV Collec
Другие MOSFET... UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , IRF9540N , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 , UT3458 .
History: MTP10N40E | CSD17551Q3A | SQD19P06-60L
History: MTP10N40E | CSD17551Q3A | SQD19P06-60L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827