UT136N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT136N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 136 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-263
Búsqueda de reemplazo de UT136N03 MOSFET
UT136N03 Datasheet (PDF)
ut136n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT136N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)= 30 V * ID=136 A * RDS(ON)= 4.5m@VGS=10 V
Otros transistores... UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , TK10A60D , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 , UT3458 , UT3N06 , UT40N03 .
History: IPA60R600P6 | MTP10N10E | BRCS050N04BD | NVMFS5C628NL | SPD50N03S2-07 | BRCS060N04DP
History: IPA60R600P6 | MTP10N10E | BRCS050N04BD | NVMFS5C628NL | SPD50N03S2-07 | BRCS060N04DP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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