UT136N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT136N03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 136 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-263

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UT136N03 datasheet

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UT136N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT136N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)= 30 V * ID=136 A * RDS(ON)= 4.5m @VGS=10 V

Otros transistores... UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, 13N50, UT150N04, UT20N03, UT3006, UT3009, UT30N03, UT3458, UT3N06, UT40N03