Справочник MOSFET. UT136N03

 

UT136N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT136N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-263

 Аналог (замена) для UT136N03

 

 

UT136N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  utc
 ut136n03.pdf

UT136N03 UT136N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT136N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)= 30 V * ID=136 A * RDS(ON)= 4.5m@VGS=10 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top