UT136N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT136N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-263

Аналог (замена) для UT136N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT136N03 даташит

 ..1. Size:148K  utc
 ut136n03.pdf pdf_icon

UT136N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT136N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)= 30 V * ID=136 A * RDS(ON)= 4.5m @VGS=10 V

Другие IGBT... UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, 13N50, UT150N04, UT20N03, UT3006, UT3009, UT30N03, UT3458, UT3N06, UT40N03