Справочник MOSFET. UT136N03

 

UT136N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT136N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 136 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-263

 Аналог (замена) для UT136N03

 

 

UT136N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  utc
 ut136n03.pdf

UT136N03 UT136N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT136N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)= 30 V * ID=136 A * RDS(ON)= 4.5m@VGS=10 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top