Справочник MOSFET. UT136N03

 

UT136N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT136N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-263
 

 Аналог (замена) для UT136N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT136N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  utc
 ut136n03.pdf pdf_icon

UT136N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT136N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT136N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)= 30 V * ID=136 A * RDS(ON)= 4.5m@VGS=10 V

Другие MOSFET... UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , TK10A60D , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 , UT3458 , UT3N06 , UT40N03 .

History: AOTF14N50FD | AP2451GY-HF | IRFH7085 | PJU3NA50 | AONZ66412 | UT110N03

 

 
Back to Top

 


 
.