UT150N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT150N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1490 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Encapsulados: TO-220
Búsqueda de reemplazo de UT150N04 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
UT150N04 datasheet
ut150n04.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT150N04 Preliminary Power MOSFET 150A, 40V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT150N04 is a N-channel enhancement MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and high switching speed. The UTC UT150N04 is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approxim
Otros transistores... UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, AON7410, UT20N03, UT3006, UT3009, UT30N03, UT3458, UT3N06, UT40N03, UT40N03T
History: FQB55N10TM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement
