UT150N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT150N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1490 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de UT150N04 MOSFET
UT150N04 Datasheet (PDF)
ut150n04.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT150N04 Preliminary Power MOSFET 150A, 40V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT150N04 is a N-channel enhancement MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and high switching speed. The UTC UT150N04 is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approxim
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History: NCE0140KA | FSS275 | IRF6215LPBF | FQP6N90 | NCE01H13 | FTD2019 | FQP4N25
History: NCE0140KA | FSS275 | IRF6215LPBF | FQP6N90 | NCE01H13 | FTD2019 | FQP4N25
Liste
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