Справочник MOSFET. UT150N04

 

UT150N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT150N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для UT150N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT150N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  utc
 ut150n04.pdf pdf_icon

UT150N04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT150N04 Preliminary Power MOSFET 150A, 40V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT150N04 is a N-channel enhancement MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and high switching speed. The UTC UT150N04 is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approxim

Другие MOSFET... UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , RFP50N06 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 , UT3458 , UT3N06 , UT40N03 , UT40N03T .

History: TPA90R350A | 2SK3789-01R | 2SK1382

 

 
Back to Top

 


 
.