UT150N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT150N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UT150N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT150N04 даташит

 ..1. Size:186K  utc
 ut150n04.pdf pdf_icon

UT150N04

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT150N04 Preliminary Power MOSFET 150A, 40V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT150N04 is a N-channel enhancement MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and high switching speed. The UTC UT150N04 is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approxim

Другие IGBT... UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, AON7410, UT20N03, UT3006, UT3009, UT30N03, UT3458, UT3N06, UT40N03, UT40N03T