UT150N04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UT150N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 1490 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO-220
UT150N04 Datasheet (PDF)
..1. Size:186K utc
ut150n04.pdf
ut150n04.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT150N04 Preliminary Power MOSFET 150A, 40V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT150N04 is a N-channel enhancement MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and high switching speed. The UTC UT150N04 is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approxim
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
