UT20N03 Todos los transistores

 

UT20N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT20N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

UT20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  utc
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UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 20m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6 7 8U

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
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UT20N03

Isc N-Channel MOSFET Transistor UT20N03FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

 0.1. Size:257K  utc
 ut20n03l-tn3-r ut20n03g-tn3-r ut20n03g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

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History: HS56021

 

 
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