Справочник MOSFET. UT20N03

 

UT20N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT20N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UT20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  utc
 ut20n03.pdf pdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 20m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6 7 8U

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 ut20n03.pdf pdf_icon

UT20N03

Isc N-Channel MOSFET Transistor UT20N03FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

 0.1. Size:257K  utc
 ut20n03l-tn3-r ut20n03g-tn3-r ut20n03g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HM4630D | JCS11N90ABT | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FS10AS-2 | AM2344N | AM8N20-600D

 

 
Back to Top

 


 
.