UT20N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT20N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для UT20N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT20N03 даташит

 ..1. Size:252K  utc
 ut20n03.pdf pdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 20m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6 7 8 U

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 ut20n03.pdf pdf_icon

UT20N03

Isc N-Channel MOSFET Transistor UT20N03 FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltag

 0.1. Size:257K  utc
 ut20n03l-tn3-r ut20n03g-tn3-r ut20n03g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, UT150N04, 12N60, UT3006, UT3009, UT30N03, UT3458, UT3N06, UT40N03, UT40N03T, UT40N04