Справочник MOSFET. UT20N03

 

UT20N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT20N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для UT20N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  utc
ut20n03.pdfpdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 20m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6 7 8U

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
ut20n03.pdfpdf_icon

UT20N03

Isc N-Channel MOSFET Transistor UT20N03FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

 0.1. Size:257K  utc
ut20n03l-tn3-r ut20n03g-tn3-r ut20n03g-k08-5060-r.pdfpdf_icon

UT20N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , 4N60 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 , UT3458 , UT3N06 , UT40N03 , UT40N03T , UT40N04 .

History: 12N80L-TC3-T | 2SK1157 | AP90N03Q | SQ3457EV | UT3406 | AOT66918L | AP10C150M

 

 
Back to Top

 


 
.