UT30N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT30N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F TO-252
Búsqueda de reemplazo de UT30N03 MOSFET
UT30N03 Datasheet (PDF)
ut30n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 30m @VGS = 10 V * Low Capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingLead Free Halogen Free 1 2 3 UT30N03L-TF
Otros transistores... UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , IRFB3607 , UT3458 , UT3N06 , UT40N03 , UT40N03T , UT40N04 , UT4392 , UT4406 , UT4410 .
History: FQP4N60 | STB100NF04T4 | STB100NF03L-03T4 | FTD2019 | NCE0157D | 2N7002C1A | IRF6215SPBF
History: FQP4N60 | STB100NF04T4 | STB100NF03L-03T4 | FTD2019 | NCE0157D | 2N7002C1A | IRF6215SPBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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