UT30N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UT30N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-220F TO-252
Аналог (замена) для UT30N03
UT30N03 Datasheet (PDF)
ut30n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 30m @VGS = 10 V * Low Capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingLead Free Halogen Free 1 2 3 UT30N03L-TF
Другие MOSFET... UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , IRFB3607 , UT3458 , UT3N06 , UT40N03 , UT40N03T , UT40N04 , UT4392 , UT4406 , UT4410 .
History: UT120N03 | STB10NK60Z-1 | FQP7N65C
History: UT120N03 | STB10NK60Z-1 | FQP7N65C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet


