Справочник MOSFET. UT30N03

 

UT30N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT30N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 47 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 320 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F TO-252

 Аналог (замена) для UT30N03

 

 

UT30N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  utc
 ut30n03.pdf

UT30N03 UT30N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 30m @VGS = 10 V * Low Capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingLead Free Halogen Free 1 2 3 UT30N03L-TF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top