UT30N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT30N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220F TO-252

Аналог (замена) для UT30N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT30N03 даташит

 ..1. Size:197K  utc
 ut30n03.pdf pdf_icon

UT30N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT30N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 30m @VGS = 10 V * Low Capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 UT30N03L-TF

Другие IGBT... UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, UT150N04, UT20N03, UT3006, UT3009, IRFB3607, UT3458, UT3N06, UT40N03, UT40N03T, UT40N04, UT4392, UT4406, UT4410