UT4446 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT4446
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0069 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8 TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT4446

UT4446 Datasheet (PDF)

..1. Size:160K utc
ut4446.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4446 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION SOP-8The UT4446 uses UTCs advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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Liste

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