UT4446 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT4446
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0069 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8 TSSOP-8
UT4446 Datasheet (PDF)
ut4446.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4446 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION SOP-8The UT4446 uses UTCs advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
Otros transistores... UT3N06 , UT40N03 , UT40N03T , UT40N04 , UT4392 , UT4406 , UT4410 , UT4430 , 18N50 , UT60N03 , UT60T03 , UT65N03 , UT70N03L , UT7410 , UT75N03 , UT85N03 , UT90N03 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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