Справочник MOSFET. UT4446

 

UT4446 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT4446
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8 TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4446 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  utc
 ut4446.pdf pdf_icon

UT4446

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4446 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION SOP-8The UT4446 uses UTCs advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TDM3430 | UT3N10L-K08-3030-R

 

 
Back to Top

 


 
.