UT65N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT65N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 555 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-220

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UT65N03 datasheet

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UT65N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT65N03 Preliminary Power MOSFET 65 Amps, 30 Volts, 3.7m N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT65N03 is a N-channel Trench technology using UTC s advanced Trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * VDS= 30V, ID=65A, * RDS(ON)=65m @

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