UT65N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UT65N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.2 nC
Время нарастания (tr): 18.6 ns
Выходная емкость (Cd): 555 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
UT65N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:138K utc
ut65n03.pdf
ut65n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT65N03 Preliminary Power MOSFET 65 Amps, 30 Volts, 3.7m N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT65N03 is a N-channel Trench technology usingUTCs advanced Trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * VDS= 30V, ID=65A, * RDS(ON)=65m @
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
