Справочник MOSFET. UT65N03

 

UT65N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT65N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для UT65N03

 

 

UT65N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  utc
 ut65n03.pdf

UT65N03 UT65N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT65N03 Preliminary Power MOSFET 65 Amps, 30 Volts, 3.7m N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT65N03 is a N-channel Trench technology usingUTCs advanced Trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * VDS= 30V, ID=65A, * RDS(ON)=65m @

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top