UT65N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT65N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UT65N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT65N03 даташит

 ..1. Size:138K  utc
 ut65n03.pdf pdf_icon

UT65N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT65N03 Preliminary Power MOSFET 65 Amps, 30 Volts, 3.7m N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT65N03 is a N-channel Trench technology using UTC s advanced Trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * VDS= 30V, ID=65A, * RDS(ON)=65m @

Другие IGBT... UT40N04, UT4392, UT4406, UT4410, UT4430, UT4446, UT60N03, UT60T03, IRF1407, UT70N03L, UT7410, UT75N03, UT85N03, UT90N03, UT9971P, UTD408, UTD420