UT65N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UT65N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для UT65N03
UT65N03 Datasheet (PDF)
ut65n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT65N03 Preliminary Power MOSFET 65 Amps, 30 Volts, 3.7m N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT65N03 is a N-channel Trench technology usingUTCs advanced Trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * VDS= 30V, ID=65A, * RDS(ON)=65m @
Другие MOSFET... UT40N04 , UT4392 , UT4406 , UT4410 , UT4430 , UT4446 , UT60N03 , UT60T03 , IRF1407 , UT70N03L , UT7410 , UT75N03 , UT85N03 , UT90N03 , UT9971P , UTD408 , UTD420 .
History: FQB4P25TM
History: FQB4P25TM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644


