Справочник MOSFET. UT65N03

 

UT65N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT65N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для UT65N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT65N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  utc
 ut65n03.pdf pdf_icon

UT65N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT65N03 Preliminary Power MOSFET 65 Amps, 30 Volts, 3.7m N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT65N03 is a N-channel Trench technology usingUTCs advanced Trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * VDS= 30V, ID=65A, * RDS(ON)=65m @

Другие MOSFET... UT40N04 , UT4392 , UT4406 , UT4410 , UT4430 , UT4446 , UT60N03 , UT60T03 , P0903BDG , UT70N03L , UT7410 , UT75N03 , UT85N03 , UT90N03 , UT9971P , UTD408 , UTD420 .

History: BR13N50 | ELM34801AA | APT11F80B | IRF830APBF | SWHA056R68E7T | SWF18N50D | CPMF-1200-S080B

 

 
Back to Top

 


 
.