UT70N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT70N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
Búsqueda de reemplazo de UT70N03L MOSFET
UT70N03L Datasheet (PDF)
ut70n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT70N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT70N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
Otros transistores... UT4392 , UT4406 , UT4410 , UT4430 , UT4446 , UT60N03 , UT60T03 , UT65N03 , 5N65 , UT7410 , UT75N03 , UT85N03 , UT90N03 , UT9971P , UTD408 , UTD420 , UTD436 .
History: HGP037N10T | HM610AK | FDS4435-NL | H7P1006MD90TZ | SM6041CSK | CES2303 | VBE1106N
History: HGP037N10T | HM610AK | FDS4435-NL | H7P1006MD90TZ | SM6041CSK | CES2303 | VBE1106N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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