UT70N03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT70N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

Аналог (замена) для UT70N03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT70N03L даташит

 7.1. Size:146K  utc
 ut70n03.pdf pdf_icon

UT70N03L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT70N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT70N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UT4392, UT4406, UT4410, UT4430, UT4446, UT60N03, UT60T03, UT65N03, 2SK3568, UT7410, UT75N03, UT85N03, UT90N03, UT9971P, UTD408, UTD420, UTD436