Справочник MOSFET. UT70N03L

 

UT70N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT70N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 

 Аналог (замена) для UT70N03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT70N03L Datasheet (PDF)

 7.1. Size:146K  utc
 ut70n03.pdf pdf_icon

UT70N03L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT70N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT70N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... UT4392 , UT4406 , UT4410 , UT4430 , UT4446 , UT60N03 , UT60T03 , UT65N03 , 5N65 , UT7410 , UT75N03 , UT85N03 , UT90N03 , UT9971P , UTD408 , UTD420 , UTD436 .

History: TK30S06K3L | IRFSL3806 | HGI200N10SL | RQ3E180GN | LSB60R030HT | 2SK3447 | OSG65R290AF

 

 
Back to Top

 


 
.